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GloryEX3D

器件级高效寄生参数场求解器

产品概述
GloryEX3D是基于随机漫步法(Random Walk),求得Maxwell偏微分方程的近似解。该求解器易于计算复杂结构,且适合发展并行计算,可用于标准单元和IP的寄生电容电阻求解,计算芯片中关键路径的寄生效应。 GloryEX3D可保证各关键节点和各关键参数的精确度要求,支持先进工艺和成熟(Plannar MOS)工艺。GloryEX3D可快速处理计算,拥有行业领先的求解效率和并行计算容量,其计算精度满足晶圆厂寄生参数模型建立需求,通过对器件层面(Fin数量、M0(本地互联))等建模,表征P-cells和Template Cells的M1、V0特性。可应用于中小尺寸版图的高精度提取,或是芯片中关键路径的高精度求解,并达到签核(signoff)精度要求。
产品亮点
  • 支持标准单元格(Standard Cell)SRAM表征

  • 关键路径的电容求解

  • 精确提取自耦电容(Self-coupling)和分布电容(Distributed)

  • 强大的并行和分层计算潜力,可并行数千CPU

  • 输出降阶后的最小网表以供设计者参考

  • 低内存消耗

  • 支持对复杂几何图形和复杂工艺效应的工艺建模

  • 支持先进工艺和成熟工艺下BEOL,MEOL和FEOL的高精度建模和寄生参数提取

  • 与晶圆厂Golden数据拟合的精确度

  • 多家晶圆厂精度认证

  • 与主流后端工具无损融合

  • 易用的三维GUI-GxViewer来查看工艺制成细节

  • 三位立体器件结构显示界面,供开发人员查看建模的精确工艺数据以及立体结构,精确表征导体和电介质(dielectric)参数

  • 支持techfile加密,确保代工厂的工艺信息安全


图示

中文官网产品图-CN0624_画板 1 副本 3.png

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